Ko D-FET kei roto i te 0 kuaha rītaha i te wa e noho ana te hongere, ka taea te whakahaere i te FET; Ko te E-FET kei roto i te 0 kuaha i te kore he hongere, kaore e taea te whakahaere i te FET. Ko enei momo FET e rua kei a ratau ake ahuatanga me o raatau whakamahinga. I te nuinga o te waa, he mea tino nui te whakanui i te FET i roto i te tere tere, te hiko iti; a kei te mahi tenei taputapu, ko te polarity o te taha o te kuaha vote whakamakuku me te whakaheke ngaohiko o te taua, he pai ake i roto i te hoahoa ara iahiko.
Ko nga tikanga e kiia ana ko te whakarei ake: i te wa ko te VGS = 0 te ngongo he ahua tapahi, me te VGS tika, ko te nuinga o nga kaikawe ka kumea ki te kuaha, na reira ka "whakapai ake" nga kaikawe i te rohe, ka hanga he hongere whakahaere. Ko te MOSFET kua whakarei ake i te hongere-n he topology hangarite maui-matau, ko te P-momo semiconductor i runga i te whakatipuranga o te paparanga o te kirikiri kiriata SiO2. Ka hangaia he paparanga whakamaarama o te kiriata SiO2 i runga i te momo-P semiconductor, katahi ka tiritiri i nga rohe momo-N e rua tino doped maphotolithography, me te arahi i nga hiko mai i te rohe momo-N, kotahi mo te awa D me tetahi mo te puna S. Ka whakakikoruatia he paparanga o te konganuku konumohe ki runga i te paparanga insulating i waenganui i te puna me te awaawa hei keeti G. Ina VGS = 0 V , he iti noa nga diodes me nga diodes hoki-ki-muri i waenga i te awaawa me te puna me te ngaohiko i waenga i te D me te S kaore i te hanga i te ia i waenga i te D me te S. Ko te ia i waenga i te D me te S kaore i hangaia e te ngaohiko e whakamahia ana. .
Ina tapirihia te ngaohiko kuaha, ki te 0 < VGS < VGS(th), na roto i te papa hiko capacitive i hangaia i waenganui i te keeti me te tïpako, ka peia whakararo nga rua polyon i roto i te momo P-momo semiconductor tata ki raro o te keeti, a ka puta mai he paparanga whakaheke angiangi o nga katote kino; i te wa ano, ka kukume i nga oligons ki roto ki te neke ki te paparanga mata, engari he iti te nama me te kore e ranea ki te hanga i tetahi hongere conductive e korero ana i te waikeri me te puna, na reira he iti tonu ki te Hanganga o te waikeri ID o naianei. piki ake VGS, ina VGS > Ko te VGS (th) (VGS (th) e kiia ana ko te ngaohiko hurihuri), no te mea i tenei wa kua tino kaha te ngaohiko kuaha, i roto i te paparanga mata semiconductor P-momo tata ki raro o te kuaha i raro i te huihuinga o etahi atu irahiko, ka taea e koe te hanga i te awaawa, te awaawa me te puna korero. Mena ka taapirihia te ngaohiko puna wai i tenei wa, ka taea te hanga i te naianei he ID. irahiko i roto i te hongere conductive i hanga i raro i te kuwaha, no te mea o te poka kawe ki te P-momo semiconductor polarity he ritenga, na ka huaina te reira paparanga anti-momo. I te piki haere tonu o te VGS, ka piki tonu te ID. ID = 0 i te VGS = 0V, a ka puta noa te awa wai i muri i te VGS > VGS(th), no reira, ko tenei momo MOSFET ka kiia ko te MOSFET whakarei.
Ko te hononga whakahaere o te VGS i runga i te awa wai ka taea te whakaahua e te pihi iD = f(VGS(th))|VDS=const, e kiia nei ko te pihinga ahuatanga whakawhiti, me te nui o te pikinga o te pihinga ahuatanga whakawhiti, gm, e whakaatu ana i te mana o te naianei ma te ngaohiko puna o te keeti. Ko te nui o te gm ko te mA/V, no reira ka kiia ko te gm ko te whakawhiti.
Wā tuku: Akuhata-04-2024
